Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 200В;
Струм стока : 18А;
Потужність : 150Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 150мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 44.7нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF640NSPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108651
- Наявність: 10
-
57.60 грн.
-
- 3 чи більше 52.00 грн.
- 10 чи більше 43.20 грн.
- 100 чи більше 39.20 грн.