• IRF5210LPBF

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -100В;

Струм стока : -40А;

Потужність : 200Вт;

Корпус : TO262;

Монтаж : THT;

Виробник : Infineon (IRF);

IRF5210LPBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225656_108605
  • Наявність: 10
  • 140.42 грн.


  • 3 чи більше 127.03 грн.
  • 10 чи більше 106.02 грн.
  • 100 чи більше 90.11 грн.