Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 60В;
Струм стока : 79А;
Потужність : 110Вт;
Корпус : TO262;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 8.4мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 46нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF1018ESLPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225652_108499
- Наявність: 10
-
101.60 грн.
-
- 3 чи більше 88.00 грн.
- 10 чи більше 81.60 грн.
- 100 чи більше 76.00 грн.