• IRF1018EPBF

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 60В;

Струм стока : 79А;

Потужність : 110Вт;

Корпус : TO220AB;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 8.4мОм;

Монтаж : THT;

Заряд затвора : 46нКл;

Вид упаковки : туба;

Виробник : Infineon (IRF);

IRF1018EPBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225652_108498
  • Наявність: 10
  • 52.00 грн.


  • 3 чи більше 48.00 грн.
  • 10 чи більше 41.60 грн.
  • 100 чи більше 36.00 грн.