Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 55В;
Струм стока : 60А;
Потужність : 180Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 11мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 120нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF1010NSPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108493
- Наявність: 10
-
82.40 грн.
-
- 3 чи більше 73.60 грн.
- 10 чи більше 60.80 грн.
- 100 чи більше 53.60 грн.