• FDN352AP

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : PowerTrench®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -30В;

Струм стока : -1.3А;

Потужність : 0.5Вт;

Корпус : SuperSOT-3;

Напруга затвор-джерело : ±25В;

Опір в стані провідності : 400мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 1.9нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : logic level;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FDN352AP

  • 5.30 грн.


  • 5 чи більше 10.45 грн.
  • 25 чи більше 7.87 грн.
  • 100 чи більше 6.32 грн.
  • 500 чи більше 5.68 грн.
  • 3000 чи більше 5.30 грн.

Мінімальне замовлення цього товару 5