• FDG6306P

Тип транзистора : P-MOSFET x2;

Технологія : PowerTrench®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -20В;

Струм стока : -0.6А;

Потужність : 0.3Вт;

Корпус : SC70-6;

Напруга затвор-джерело : ±12В;

Опір в стані провідності : 400мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 2нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FDG6306P

  • 9.14 грн.


  • 3 чи більше 17.31 грн.
  • 25 чи більше 13.54 грн.
  • 100 чи більше 10.89 грн.
  • 500 чи більше 9.85 грн.
  • 3000 чи більше 9.14 грн.

Мінімальне замовлення цього товару 3