• CSD19531Q5AT

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : NexFET™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 100А;

Потужність : 125Вт;

Корпус : VSONP8 5x6мм;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 5.3мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 37нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS;

CSD19531Q5AT

  • 143.20 грн.


  • 3 чи більше 128.80 грн.
  • 10 чи більше 113.60 грн.
  • 50 чи більше 102.40 грн.
  • 250 чи більше 95.20 грн.