• CSD17579Q3AT

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : NexFET™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 30В;

Струм стока : 20А;

Потужність : 29Вт;

Корпус : VSONP8 3,3x3,3мм;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 11.8мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 5.3нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS;

CSD17579Q3AT

  • 50.40 грн.


  • 5 чи більше 37.60 грн.
  • 25 чи більше 32.80 грн.
  • 100 чи більше 30.40 грн.
  • 250 чи більше 28.00 грн.