• BSC042NE7NS3GATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™ 3;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 75В;

Струм стока : 100А;

Потужність : 125Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 4.2мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC042NE7NS3GATMA1

  • 175.26 грн.


  • 5 чи більше 149.94 грн.
  • 25 чи більше 121.16 грн.
  • 100 чи більше 105.07 грн.
  • 1000 чи більше 97.50 грн.