• BSC026N04LSATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 40В;

Струм стока : 100А;

Потужність : 63Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 2.6мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC026N04LSATMA1

  • 86.86 грн.


  • 5 чи більше 74.76 грн.
  • 25 чи більше 60.10 грн.
  • 100 чи більше 52.16 грн.
  • 1000 чи більше 48.56 грн.