• BSB104N08NP3GXUSA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 80В;

Струм стока : 32А;

Потужність : 48Вт;

Корпус : MG-WDSON-2, CanPAK™ M;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 10.4мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSB104N08NP3GXUSA1

  • 96.13 грн.


  • 5 чи більше 82.67 грн.
  • 25 чи більше 66.45 грн.
  • 250 чи більше 57.65 грн.
  • 1000 чи більше 53.67 грн.