• BSB028N06NN3GXUMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™ 3;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 60В;

Струм стока : 90А;

Потужність : 78Вт;

Корпус : MG-WDSON-2, CanPAK™ M;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 2.8мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSB028N06NN3GXUMA1

  • 70.14 грн.


  • 3 чи більше 64.74 грн.
  • 10 чи більше 62.10 грн.
  • 100 чи більше 59.35 грн.
  • 1000 чи більше 56.70 грн.