• BSB012NE2LXIXUMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 25В;

Струм стока : 170А;

Потужність : 57Вт;

Корпус : MG-WDSON-2, CanPAK™ M;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 1.2мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSB012NE2LXIXUMA1

  • 160.02 грн.


  • 25 чи більше 137.44 грн.
  • 100 чи більше 110.75 грн.
  • 250 чи більше 96.55 грн.
  • 1000 чи більше 89.45 грн.