INFINEON TECHNOLOGIES
BSM10GP120
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : діод/транзистор;Топологія : гальмівний переривник, тер..
8 795.20 грн.
BSM150GB60DLC
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;Топологія : півмісток IGBT;Зворо..
10 080.00 грн.
BSM200GB60DLC
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;Топологія : півмісток IGBT;Зворо..
11 756.80 грн.
BSM20GP60
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : діод/транзистор;Топологія : гальмівний переривник, тер..
8 916.00 грн.
BSM35GP120
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : діод/транзистор;Топологія : гальмівний переривник, тер..
13 824.80 грн.
BSM50GB60DLC
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;Топологія : півмісток IGBT;Зворо..
6 912.80 грн.
BSM50GD120DN2
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;Топологія : півмісток IGBT x3;Зв..
14 042.40 грн.
BSM50GP120
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : діод/транзистор;Топологія : гальмівний переривник, тер..
19 703.20 грн.
BSM75GB120DN2
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;Топологія : півмісток IGBT;Зворо..
9 264.00 грн.
BSM75GB60DLC
Тип модуля : IGBT;Структура напівпровідника : транзистор/транзистор;Топологія : півмісток IGBT;Зворо..
7 511.20 грн.
BSO033N03MSGXUMA1
Тип транзистора : N-MOSFET;Технологія : OptiMOS™ 3;Поляризація : польовий;Напруга сток-джерело : 30В..
64.01 грн.
BSO040N03MSGXUMA1
Тип транзистора : N-MOSFET;Технологія : OptiMOS™ 3;Поляризація : польовий;Напруга сток-джерело : 30В..
57.15 грн.
BSO080P03NS3EGXUMA
Тип транзистора : P-MOSFET;Технологія : OptiMOS™3 P3;Поляризація : польовий;Напруга сток-джерело : -..
52.00 грн.
BSO080P03NS3GXUMA1
Тип транзистора : P-MOSFET;Технологія : OptiMOS™3 P3;Поляризація : польовий;Напруга сток-джерело : -..
52.00 грн.
BSO080P03SHXUMA1
Тип транзистора : P-MOSFET;Технологія : OptiMOS™ P;Поляризація : польовий;Напруга сток-джерело : -30..
85.47 грн.