• ZXMN10B08E6TA

Тип транзистора : N-MOSFET;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 1.5А;

Потужність : 1.1Вт;

Корпус : SOT26;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 0.5Ом;

Монтаж : SMD;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : DIODES INCORPORATED;

ZXMN10B08E6TA

  • 47.20 грн.


  • 5 чи більше 32.00 грн.
  • 25 чи більше 28.00 грн.
  • 100 чи більше 25.60 грн.
  • 500 чи більше 24.00 грн.