Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : SuperMesh™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 1000В;

Струм стока : 4.3А;

Потужність : 160Вт;

Корпус : TO220-3;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 1850мОм;

Монтаж : THT;

Вид упаковки : туба;

Властивості напівпровідникових елементів : ESD protected gate;

Виробник : ST MICROELECTRONICS;