Тип діода : transil;

Power dissipation : 3кВт;

Зворотна напруга макс. : 11В;

Напруга пробою : 12.85В;

Струм в імпульсі макс. : 164.8А;

Структура напівпровідника : односпрямована;

Допуск : ±5%;

Корпус : DO214AB;

Монтаж : SMD;

Струм витоку : 2мкА;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Властивості напівпровідникових елементів : glass passivated;

Виробник : LITTELFUSE;