• RFD12N06RLESM9A

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : UltraFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 60В;

Струм стока : 8А;

Потужність : 49Вт;

Корпус : DPAK;

Напруга затвор-джерело : ±16В;

Опір в стані провідності : 75мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 15нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

RFD12N06RLESM9A

  • 52.00 грн.


  • 5 чи більше 41.60 грн.
  • 25 чи більше 32.80 грн.
  • 100 чи більше 30.40 грн.
  • 500 чи більше 27.20 грн.