Тип модуля : транзисторний;
Структура напівпровідника : одиночний транзистор;
Напруга сток-джерело : -600В;
Струм стока : -32А;
Корпус : SOT227B;
Потужність : 890Вт;
Струм в імпульсі макс. : -128А;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Монтаж : пригвинчуваний;
Електричний монтаж : пригвинчуваний;
Поляризація : польовий;
Робоча температура : -55...150°C;
Опір в стані провідності : 350мОм;
Виробник : IXYS;
IXTN32P60P
- Бренди IXYS
- Артикул: 226914_111030
- Наявність: 10
-
4 127.20 грн.
-
- 3 чи більше 3 710.40 грн.
- 10 чи більше 3 284.80 грн.