• IRLS4030PBF

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 180А;

Потужність : 370Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±16В;

Опір в стані провідності : 4.3мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 87нКл;

Властивості напівпровідникових елементів : logic level;

Виробник : Infineon (IRF);

IRLS4030PBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225650_109948
  • Наявність: 10
  • 400.00 грн.


  • 3 чи більше 356.80 грн.
  • 10 чи більше 285.60 грн.
  • 50 чи більше 257.60 грн.