• IRF7759L2TRPBF

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 75В;

Струм стока : 26А;

Потужність : 125Вт;

Корпус : DirectFET;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 2.3мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 200нКл;

Виробник : Infineon (IRF);

IRF7759L2TRPBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225650_108877
  • Наявність: 10
  • 231.20 грн.


  • 4000 чи більше 231.20 грн.

Мінімальне замовлення цього товару 4000