Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 200В;
Струм стока : 18А;
Потужність : 150Вт;
Корпус : TO220AB;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 150мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 44.7нКл;
Вид упаковки : туба;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF640NPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225652_108650
- Наявність: 10
-
56.00 грн.
-
- 3 чи більше 42.40 грн.
- 10 чи більше 35.20 грн.
- 100 чи більше 31.20 грн.

