Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 200В;
Струм стока : 18А;
Потужність : 150Вт;
Корпус : TO262;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 150мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 44.7нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF640NLPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225652_108649
- Наявність: 10
-
84.80 грн.
-
- 3 чи більше 79.20 грн.
- 10 чи більше 67.20 грн.
- 100 чи більше 60.80 грн.