Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 200В;
Струм стока : 9.5А;
Потужність : 82Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 300мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 23.3нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF630NSPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108645
- Наявність: 10
-
132.80 грн.
-
- 3 чи більше 118.40 грн.
- 10 чи більше 98.40 грн.
- 100 чи більше 87.20 грн.