Тип транзистора : P-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : -100В;
Струм стока : -40А;
Потужність : 3.8Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 60мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 120нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF5210SPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225654_108607
- Наявність: 10
-
134.40 грн.
-
- 3 чи більше 123.20 грн.
- 10 чи більше 101.60 грн.
- 100 чи більше 86.40 грн.