• IRF3717PBF

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 20В;

Струм стока : 20А;

Потужність : 2.5Вт;

Корпус : SO8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 4.4мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 22нКл;

Виробник : Infineon (IRF);

IRF3717PBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225650_108586
  • Наявність: 10
  • 65.60 грн.


  • 3 чи більше 60.00 грн.
  • 10 чи більше 49.60 грн.
  • 95 чи більше 42.40 грн.