Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 100В;
Струм стока : 57А;
Потужність : 200Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 23мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 86.7нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF3710SPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108579
- Наявність: 10
-
87.20 грн.
-
- 3 чи більше 78.40 грн.
- 10 чи більше 64.80 грн.
- 100 чи більше 56.00 грн.