• IRF3710PBF

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : HEXFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 57А;

Потужність : 200Вт;

Корпус : TO220AB;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 23мОм;

Монтаж : THT;

Заряд затвора : 86.7нКл;

Вид упаковки : туба;

Виробник : Infineon (IRF);

IRF3710PBF

  • Бренди INFINEON (IRF)
  • Артикул: 225652_108578
  • Наявність: 10
  • 67.20 грн.


  • 3 чи більше 60.80 грн.
  • 10 чи більше 50.40 грн.
  • 100 чи більше 43.20 грн.