Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 30В;
Струм стока : 90А;
Потужність : 120Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 9мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 27нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF3709SPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108574
- Наявність: 10
-
88.00 грн.
-
- 3 чи більше 74.40 грн.
- 10 чи більше 63.20 грн.
- 100 чи більше 58.40 грн.