Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 100В;
Струм стока : 42А;
Потужність : 3.8Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 36мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 73.3нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF1310NSPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108503
- Наявність: 10
-
89.60 грн.
-
- 3 чи більше 82.40 грн.
- 10 чи більше 67.20 грн.
- 100 чи більше 56.80 грн.