Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 60В;
Струм стока : 79А;
Потужність : 110Вт;
Корпус : D2PAK;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 8.4мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 46нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF1018ESPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225650_108500
- Наявність: 10
-
67.20 грн.
-
- 3 чи більше 60.80 грн.
- 10 чи більше 50.40 грн.
- 100 чи більше 44.80 грн.