Тип транзистора : N-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 60В;
Струм стока : 81А;
Потужність : 170Вт;
Корпус : TO220AB;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 12мОм;
Монтаж : THT;
Заряд затвора : 86.6нКл;
Вид упаковки : туба;
Виробник : Infineon (IRF);
IRF1010EPBF
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 225652_108490
- Наявність: 10
-
67.20 грн.
-
- 5 чи більше 61.60 грн.
- 25 чи більше 51.20 грн.
- 100 чи більше 43.20 грн.