• FQD19N10LTM

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : QFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 9.8А;

Потужність : 50Вт;

Корпус : DPAK;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 110мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 18нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FQD19N10LTM

  • 55.94 грн.


  • 5 чи більше 37.01 грн.
  • 25 чи більше 30.01 грн.
  • 100 чи більше 26.98 грн.
  • 500 чи більше 24.99 грн.