• FQD11P06TM

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : QFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -60В;

Струм стока : -5.95А;

Потужність : 38Вт;

Корпус : DPAK;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 185мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 17нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FQD11P06TM

  • 52.00 грн.


  • 5 чи більше 41.60 грн.
  • 25 чи більше 32.80 грн.
  • 100 чи більше 30.40 грн.
  • 500 чи більше 27.20 грн.