• FQB55N10TM

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : QFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 38.9А;

Потужність : 155Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±25В;

Опір в стані провідності : 26мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 98нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FQB55N10TM

  • 120.80 грн.


  • 5 чи більше 104.00 грн.
  • 25 чи більше 84.00 грн.
  • 100 чи більше 76.00 грн.
  • 500 чи більше 70.40 грн.