• FQB27P06TM

Тип транзистора : P-MOSFET;

Технологія : QFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : -60В;

Струм стока : -19.1А;

Потужність : 120Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±25В;

Опір в стані провідності : 70мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 43нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FQB27P06TM

  • 116.80 грн.


  • 5 чи більше 100.00 грн.
  • 25 чи більше 80.80 грн.
  • 100 чи більше 72.80 грн.
  • 500 чи більше 67.20 грн.