• FQB19N20LTM

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : QFET®;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 200В;

Струм стока : 13.3А;

Потужність : 140Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 150мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 35нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FQB19N20LTM

  • 87.20 грн.


  • 5 чи більше 74.40 грн.
  • 25 чи більше 60.00 грн.
  • 100 чи більше 53.60 грн.