• FDB33N25TM

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : UniFET™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 250В;

Струм стока : 33А;

Потужність : 235Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 94мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 48нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FDB33N25TM

  • 100.00 грн.


  • 5 чи більше 86.40 грн.
  • 25 чи більше 68.80 грн.
  • 100 чи більше 62.40 грн.
  • 500 чи більше 58.40 грн.