• FDB28N30TM

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : UniFET™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 300В;

Струм стока : 28А;

Потужність : 250Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±30В;

Опір в стані провідності : 129мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 50нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Виробник : ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD);

FDB28N30TM

  • 139.20 грн.


  • 5 чи більше 120.00 грн.
  • 25 чи більше 96.80 грн.
  • 100 чи більше 87.20 грн.
  • 500 чи більше 80.80 грн.