• CSD87313DMST

Тип транзистора : N-MOSFET x2;

Технологія : NexFET™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 30В;

Потужність : 2.7Вт;

Корпус : WSON8 3x3мм;

Напруга затвор-джерело : ±10В;

Опір в стані провідності : 5.5мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 28нКл;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Структура напівпровідника : загальний дренаж;

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS;

CSD87313DMST

  • 144.80 грн.


  • 3 чи більше 130.40 грн.
  • 10 чи більше 115.20 грн.
  • 50 чи більше 103.20 грн.
  • 250 чи більше 96.00 грн.