• CSD19536KTTT

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : NexFET™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 200А;

Потужність : 375Вт;

Корпус : D2PAK;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 2мОм;

Монтаж : SMD;

Заряд затвора : 118нКл;

Вид упаковки : туба;

Виробник : TEXAS INSTRUMENTS;

CSD19536KTTT

  • 462.40 грн.


  • 3 чи більше 416.00 грн.
  • 10 чи більше 367.20 грн.
  • 50 чи більше 330.40 грн.
  • 250 чи більше 308.00 грн.