• BSC082N10LSGATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™ 2;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 100А;

Потужність : 156Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 8.2мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC082N10LSGATMA1

  • 166.55 грн.


  • 5 чи більше 143.69 грн.
  • 25 чи більше 115.48 грн.
  • 250 чи більше 100.34 грн.
  • 1000 чи більше 93.34 грн.