• BSC016N03MSGATMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™ 3;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 30В;

Струм стока : 100А;

Потужність : 125Вт;

Корпус : PG-TDSON-8;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 1.6мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSC016N03MSGATMA1

  • 72.70 грн.


  • 5 чи більше 65.31 грн.
  • 25 чи більше 60.96 грн.
  • 100 чи більше 56.61 грн.