• BSB056N10NN3GXUMA1

Тип транзистора : N-MOSFET;

Технологія : OptiMOS™;

Поляризація : польовий;

Напруга сток-джерело : 100В;

Струм стока : 52А;

Потужність : 78Вт;

Корпус : MG-WDSON-2, CanPAK™ MN;

Напруга затвор-джерело : ±20В;

Опір в стані провідності : 5.6мОм;

Монтаж : SMD;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;

BSB056N10NN3GXUMA1

  • 236.22 грн.


  • 5 чи більше 203.04 грн.
  • 25 чи більше 163.76 грн.
  • 250 чи більше 141.98 грн.
  • 1000 чи більше 132.52 грн.