Тип транзистора : N/P-MOSFET;
Технологія : HEXFET®;
Поляризація : польовий;
Напруга сток-джерело : 30/-30В;
Струм стока : 5.8/-4.3А;
Потужність : 2.5Вт;
Корпус : SO8;
Напруга затвор-джерело : ±20В;
Опір в стані провідності : 38/70мОм;
Монтаж : SMD;
Заряд затвора : 16.7нКл;
Виробник : Infineon (IRF);
AUIRF7379QTR
- Бренди INFINEON (IRF)
- Артикул: 201228_42156
- Наявність: 10
-
67.20 грн.
-
- 4000 чи більше 67.20 грн.
Мінімальне замовлення цього товару 4000