Тип інтегральної мікросхеми : power switch;

Вид об'єднаної схеми : low-side switch;

Вихідний струм : 900мА;

Кількість каналів : 1;

Вид виходу : N-Channel;

Монтаж : SMD;

Корпус : SO8;

Опір в стані провідності : 300мОм;

Вид упаковки : cтрічка, ролик;

Технологія : HITFET®;

Робоча температура : -40...150°C;

Потужність : 2Вт;

Вихідна напруга : 35В;

Час ввімкнення : 1.3мкс;

Час вимкнення : 2.3мкс;

Топологія : одиночний транзистор;

Виробник : Infineon (IRF);